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分立器件高溫反向偏壓測試系統(tǒng)

在科技日新月異的當下，集成電路的市場化進程不斷加速，各種元器件已經(jīng)滲透到我們生活的各個領域。無論是航空航天、智能汽車等大型領域，還是手機、電腦、手表、電視等日常消費品，都離不開元器件的應用。這些元器件與我們的生活密切相關。

然而，元器件也可能帶來一些風險。市場上不時發(fā)生的手機炸機事件、汽車故障、電路板著火等問題，大多與器件質(zhì)量有關。因此，篩選出品質(zhì)高、可靠性高的器件成為各大廠家的首要任務。

高溫反向偏壓試驗（High Temperature Reverse Bias，簡稱HTRB）是分立器件可靠性測試中重要的項目之一。該試驗在高溫條件下，對被測樣品連續(xù)施加一定規(guī)格的反向電壓，并要求其反向漏電流能夠穩(wěn)定在規(guī)定范圍內(nèi)。通過模擬器件在長期運行條件下的耐受能力，可以推斷器件在實際使用中的壽命和應力大小。

在器件量產(chǎn)或使用前，按照實際應用場景進行模擬實驗，可以提前了解器件的應力情況，從而避免因應力或環(huán)境因素導致的失效和影響。

高溫反向偏壓試驗的實驗目的在于暴露與時間和應力相關的器件缺陷，測量器件是否符合規(guī)定標準要求，并檢查封裝或晶圓自身是否存在質(zhì)量問題。

該試驗可覆蓋車規(guī)、工規(guī)及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、JESD 22-A108、JEDEC、JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相關標準要求。

高溫反向偏壓試驗適用于多種半導體分立器件，包括二極管、三極管、MOSFET管（增強型、耗盡型）、達林頓管、可控硅和IGBT等，并適用于多種封裝類型。